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3810831DCX114TH-7 imageDiodes Incorporated

DCX114TH-7

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DCX114TH-7
  • Fabricant / marque
    Diodes Incorporated
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DCX114TH-7.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 100µA, 1mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SOT-563
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    -
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-563, SOT-666
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    26 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    250MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    DCX114

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