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D6G-T

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Spécifications

Modèle de produit

D6G-T
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 800V 1A T1
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

D6G-T.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max)

800V
Package composant fournisseur

T-1
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

2µs
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

T1, Axial
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 800V 1A Through Hole T-1
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 800V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1A
Capacité à Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "D6G-T".

R5001410XXWA

La description: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205

Fabricant: Powerex, Inc.

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