2N7002-7

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Spécifications

Modèle de produit

2N7002-7
Fabricant / marque

Diodes Incorporated
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

2N7002-7.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-23-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Dissipation de puissance (max)

370mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

2N7002DI
2N7002DITR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

115mA (Ta)

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SIT1602BC-21-25E-37.500000G

La description: -20 TO 70C, 3225, 20PPM, 2.5V, 3

Fabricant: SiTime

En stock

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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