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PTFB192503EL-V1-R0

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PTFB192503EL-V1-R0
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC AMP RF LDMOS H-33288-6
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Test
    30V
  • Tension - Nominale
    65V
  • Transistor Type
    LDMOS
  • Package composant fournisseur
    H-33288-6
  • Séries
    -
  • Alimentation - sortie
    50W
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    H-33288-6
  • Autres noms
    PTFB192503ELV1R0XTMA1
    PTFB192503ELV1R0XTMA1-ND
    SP001413924
  • Noise Figure
    -
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    19dB
  • La fréquence
    1.99GHz
  • Description détaillée
    RF Mosfet LDMOS 30V 1.9A 1.99GHz 19dB 50W H-33288-6
  • Note actuelle
    -
  • Courant - Test
    1.9A
1808Y0160333FFR

1808Y0160333FFR

La description: CAP CER 0.033UF 16V C0G/NP0 1808

Fabricant: Knowles Syfer
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