TB10S-G

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Spécifications

Modèle de produit

TB10S-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE BRIDGE GPP 0.8A 100V TBS
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

TB10S-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

1kV
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

950mV @ 400mA
La technologie

Standard
Package composant fournisseur

4-TBS
Séries

-
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

4-SMD, Gull Wing
Autres noms

641-1862-2
TB10S-G-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Single Phase
Description détaillée

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Surface Mount 4-TBS
Courant - fuite, inverse à Vr

10µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

800mA

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "TB10S-G".

TB1100H-13

La description: THYRISTOR PROTECT BIDIR 100A SMB

Fabricant: Diodes Incorporated

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