CDBJFSC5650-G

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Spécifications

Modèle de produit

CDBJFSC5650-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

CDBJFSC5650-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.7V @ 5A
Tension - inverse (Vr) (max)

650V
Package composant fournisseur

TO-220F
La vitesse

No Recovery Time > 500mA (Io)
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

0ns
Package / Boîte

TO-220-2 Full Pack
Autres noms

641-1936
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 175°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Silicon Carbide Schottky
Description détaillée

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 5A (DC) Through Hole TO-220F
Courant - fuite, inverse à Vr

100µA @ 650V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

5A (DC)
Capacité à Vr, F

430pF @ 0V, 1MHz

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Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "CDBJFSC5650-G".

CDBHM250L-HF

La description: DIODE SCHOTTKY 50V 2A MBS-2

Fabricant: Comchip Technology

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