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CDBD640-G

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Spécifications

Modèle de produit

CDBD640-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE SCHOTTKY 40V 6A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

CDBD640-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

6A (DC)
Tension - Ventilation

D-PAK (TO-252)
Séries

-
État RoHS

Tape & Reel (TR)
Temps de recouvrement inverse (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

CDBD640-G
Description élargie

Diode Schottky 40V 6A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Configuration diode

500µA @ 40V
La description

DIODE SCHOTTKY 40V 6A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr

550mV @ 6A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

40V
Capacité à Vr, F

-50°C ~ 125°C

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Ce qui suit est des produits liés à "CDBD640-G".

CDBDSC51200-G

La description: DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO

Fabricant: Comchip Technology

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