A1N5404G-G

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Spécifications

Modèle de produit

A1N5404G-G
Fabricant / marque

Comchip Technology
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

A1N5404G-G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max)

400V
Package composant fournisseur

DO-27
La vitesse

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries

Automotive, AEC-Q101
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

DO-201AA, DO-27, Axial
Autres noms

641-1896-1
Température d'utilisation - Jonction

-55°C ~ 150°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 400V 3A Through Hole DO-27
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 400V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

3A
Capacité à Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

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A1N4007G-G

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Fabricant: Comchip Technology

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