BUV47A

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Spécifications

Modèle de produit

BUV47A
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

POWER TRANSISTOR NPN TO218
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

BUV47A.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

450V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-218
Séries

-
Puissance - Max

100W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-218-3
Température de fonctionnement

-
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 9A 100W Through Hole TO-218
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

9A

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Ce qui suit est des produits liés à "BUV47A".

2SC2235-Y(T6OMI,FM

La description: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

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BUV47A

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