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2N5416

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Spécifications

Modèle de produit

2N5416
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N5416.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-39
Séries

-
Puissance - Max

1W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Autres noms

2N5416 PBFREE
2N5416CS
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

15MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 15MHz 1W Through Hole TO-39
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "2N5416".

RN65C1181FB14

La description: RES 1.18K OHM 1/2W 1% AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay

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RFQ

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Stal***e

2025/05/20

5.0

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2N5416

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