2061317

2N3117

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Spécifications

Modèle de produit

2N3117
Fabricant / marque

Central Semiconductor
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 60V 0.05A TO-18
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

2N3117.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100µA, 1mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-18
Séries

-
Puissance - Max

360mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Autres noms

2N3117 LEAD FREE
2N3117 PBFREE
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50mA 360mW Through Hole TO-18
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 10µA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA

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