ALD212900ASAL

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Spécifications

Modèle de produit

ALD212900ASAL
Fabricant / marque

Advanced Linear Devices, Inc.
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

ALD212900ASAL.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

10mV @ 20µA
Package composant fournisseur

8-SOIC
Séries

EPAD®, Zero Threshold™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 Ohm
Puissance - Max

500mW
Emballage

Tube
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

1014-1211
Température de fonctionnement

0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

-
type de FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

10.6V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

80mA

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ALD212908APAL

La description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

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