RFD10P03LSM

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Spécifications

Modèle de produit

RFD10P03LSM
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

RFD10P03LSM.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 10A, 5V
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 10A (Tc) Surface Mount TO-252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

10A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "RFD10P03LSM".

MTSW-116-07-F-D-155

La description: MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN

Fabricant: Samtec, Inc.

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RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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