MBRM2H100T3G

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Spécifications

Modèle de produit

MBRM2H100T3G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MBRM2H100T3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

840mV @ 2A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

Powermite
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

-
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DO-216AA
Autres noms

MBRM2H100T3G-ND
MBRM2H100T3GOSTR
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

7 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type de diode

Schottky
Description détaillée

Diode Schottky 100V 2A Surface Mount Powermite
Courant - fuite, inverse à Vr

20µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

2A
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "MBRM2H100T3G".

MBRM560-13-F

La description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A POWERMITE3

Fabricant: Diodes Incorporated

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