KSD882OS

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Spécifications

Modèle de produit

KSD882OS
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 30V 3A TO-126
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

KSD882OS.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-126-3
Séries

-
Puissance - Max

1W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-225AA, TO-126-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

90MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 90MHz 1W Through Hole TO-126-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A
Numéro de pièce de base

KSD882

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Ce qui suit est des produits liés à "KSD882OS".

KSD880Y

La description: TRANS NPN 60V 3A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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