IRFU220_R4941

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Spécifications

Modèle de produit

IRFU220_R4941
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRFU220_R4941.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-251AA
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

IRFU220_R4941-ND
IRFU220FS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 4.6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4.6A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRFU220_R4941".

IRFU214BTU_FP001

La description: MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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IRFU220_R4941

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