FSB660A

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Spécifications

Modèle de produit

FSB660A
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 60V 2A SSOT-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FSB660A.pdf
2.FSB660A.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 2A
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

3-SSOT
Séries

-
Puissance - Max

500mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

FSB660A-ND
FSB660ATR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

75MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

2A
Numéro de pièce de base

FSB660

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FSB660A".

FSB70625

La description: MODULE SPM 250V 6.9A 27-QFN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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