FDZ7064AS

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Spécifications

Modèle de produit

FDZ7064AS
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 13.5A BGA
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDZ7064AS.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

30-BGA (4x3.5)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.2W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

30-WFBGA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 13.5A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount 30-BGA (4x3.5)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

13.5A (Ta)

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livraison
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FDZ391P

La description: MOSFET P-CH 20V 3A 6-WLCSP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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