FDN352AP

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Spécifications

Modèle de produit

FDN352AP
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FDN352AP.pdf
2.FDN352AP.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SuperSOT-3
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

500mW (Ta)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

FDN352APDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.3A (Ta)

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FDN338P_G

La description: INTEGRATED CIRCUIT

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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