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FDMS7678

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FDMS7678
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    FDMS7678.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    8-PQFN (5x6)
  • Séries
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.3W (Ta), 41W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    FDMS7678CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    39 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2410pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 17.5A (Ta), 26A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    17.5A (Ta), 26A (Tc)

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C2012X5R1E105M125AA

C2012X5R1E105M125AA

La description: CAP CER 1UF 25V X5R 0805

Fabricant: TDK Corporation
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