FDMS3660AS

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS3660AS
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMS3660AS.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA
Package composant fournisseur

Power56
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 13A, 10V
Puissance - Max

1W
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMS3660ASCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

13A, 30A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDMS3660AS".

FDMS3610S

La description: MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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