FDMC2523P

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC2523P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC2523P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-MLP (3.3x3.3)
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

42W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMC2523PDKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

150V
Description détaillée

P-Channel 150V 3A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMC2523P".

FDMC3300NZA

La description: MOSFET 2N-CH 20V 8A POWER33

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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