FDG314P

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Spécifications

Modèle de produit

FDG314P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDG314P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SC-70-6
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

750mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

63pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.7V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

P-Channel 25V 650mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

650mA (Ta)

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FDG326P

La description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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