FDFMA2P857

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Spécifications

Modèle de produit

FDFMA2P857
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDFMA2P857.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

6-MicroFET (2x2)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.4W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-VDFN Exposed Pad
Autres noms

FDFMA2P857TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDFMA2P857".

MAX6854UK16D3+T

La description: IC MPU SUPERVISOR SOT23-5

Fabricant: Maxim Integrated

En stock

RFQ

Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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