FDBL0240N100

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Spécifications

Modèle de produit

FDBL0240N100
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDBL0240N100.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PSOF
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.5W (Ta), 300W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

8-PowerSFN
Autres noms

FDBL0240N100DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8755pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

111nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 210A (Tc) 3.5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-PSOF
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

210A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "FDBL0240N100".

FDBL0260N100

La description: MOSFET N-CH 100V 200A 8PSOF

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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