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5284624BD679AS imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD679AS

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BD679AS
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.BD679AS.pdf
    2.BD679AS.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    80V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    2.8V @ 40mA, 2A
  • Transistor Type
    NPN - Darlington
  • Package composant fournisseur
    TO-126
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    40W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    TO-225AA, TO-126-3
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    2 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    750 @ 2A, 3V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    4A
  • Numéro de pièce de base
    BD679

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Ce qui suit est des produits liés à "BD679AS".
KP253HPXTMA1

KP253HPXTMA1

La description: IC ANLG BAROMETRIC SNSR DSOF8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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