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IXFH6N100F

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Spécifications

Modèle de produit

IXFH6N100F
Fabricant / marque

IXYS RF
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFH6N100F.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 (IXFH)
Séries

HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

180W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Tc)

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IXFH6N120

La description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247

Fabricant: IXYS Corporation

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